Intel готова к массовому производству нового типа памяти MRAM
По данным осведомлённых источников, компания Intel уже готова приступить к массовому производству памяти MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory).
Память MRAM является энергонезависимой. Она способна сохранять данные даже в случае неожиданного прекращения энергоснабжения системы. Таким образом, она больше похожа на устройство хранения данных, чем на оперативную память. Но на самом деле память MRAM можно рассматривать в качестве долгожданного кандидата на универсальную память, которая позволит заменить и быструю энергозависимую память DRAM, и более медленную энергонезависимую память NAND. Отметим, масштабирование узлов с этими типами памяти становится всё сложнее. В то же время MRAM обещает улучшенную масштабируемость, время отклика на уровне 1 нс (лучше теоретических возможностей DRAM) и высокую скорость записи, которая в тысячи раз превосходит возможности NAND.
При этом память MRAM нынешнего поколения обладает хорошими показателями надёжности. Она способна хранить данные на протяжении 10 лет при температуре 200 градусов Цельсия и выдерживать более 1 млн циклов переключения. Кроме того, при использовании 22-нанометрового технологического процесса обеспечивается норма выхода годных чипов MRAM более 99,9%, что является отличным результатом для новой и достаточно секретной технологии. Однако предполагается, что массовое производство может осуществляться и по 14-нм техпроцессу, а упомянутые 22-нм нормы можно назвать «смягчёнными» 14-нанометровыми, считают эксперты.
Здесь выдают
ставки
ставки
Поделитесь записью с друзьями
Посмотреть ещё 4 фотографии
Посмотреть ещё 4 фотографии
Девушки поймут :3
счастье - это:
счастье - это:
© 2008‒2025 Социально‐развлекательная сеть «Фотострана». Пользователей: 24 500 302 человека
ООО «Фотострана» ОГРН: 1157847426076 ИНН: 7813238556
197046, Санкт-Петербург, Певческий переулок, дом 12, лит. А
Следующая запись: В Австралии к автомобильным номерам разрешили добавлять эмодзи
Лучшие публикации